试题要求
(单选题)可产生抑制性突触后电位的离子基础是()
答案解析
答案:D
解析:
突触后膜在某种神经递质作用下产生局部超极化电位变化,称为抑制性突触后电位(IPSP)。抑制性突触后电位的产生过程:抑制性中间神经元释放的抑制性递质作用于突触后膜,使后膜中的氯通道开放(D对),引起外向电流,结果使突触后膜发生超极化。虽然抑制性突触后电位(IPSP)的产生还与K⁺(A对)外流,Na⁺(B对)、Ca²⁺(C对)有关,但不是主要因素,因此本题最佳答案为D。
突触后膜在某种神经递质作用下产生局部超极化电位变化,称为抑制性突触后电位(IPSP)。抑制性突触后电位的产生过程:抑制性中间神经元释放的抑制性递质作用于突触后膜,使后膜中的氯通道开放(D对),引起外向电流,结果使突触后膜发生超极化。虽然抑制性突触后电位(IPSP)的产生还与K⁺(A对)外流,Na⁺(B对)、Ca²⁺(C对)有关,但不是主要因素,因此本题最佳答案为D。
考点:第九章神经系统的功能
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